型号 | 12LPA65 | 化学类型 | 铅酸蓄电池 |
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电压 | 12V | 类型 | 固定型蓄电池 |
荷电状态 | 免维护蓄电池 | 电池盖和排气拴结构 | 阀控式密闭蓄电池 |
额定容量 | 65AH | 外型尺寸 | 348*167*178mm |
产品认证 | 泰尔 | 适用范围 | ups蓄电池 |
包装 | 箱装 | 发货地 | 北京 |
运输 | 物流 |
法国路盛蓄电池12LPA65规格报价
展望:关于系统成本和平准化电力成本
聚光系统的市场价格和成本信息很难取得。
这是由于市场比较小,活跃的公司并不多。这样,学习曲线并不是那么可靠,系统成本和平准化电力成本(LCOE或度电成本)的分析也具有很大的不确定性,除非市场上已经有了足够多的并网发电项目安装量。
2013年,Fraunhofer 发表了一个可再生能源的平准化电力成本的深入研究。其中也包括了对高倍聚光的分析,根据的是基于公开发表的数据所作的假设。
加拿大的渥太华大学的一个小组也作过类似的报告。根据行业调查和文献,聚光光伏的价格(含安装),大多在1400欧元/千瓦和2200欧元/千瓦之间,根据不同的设计概念和新的地区差异而不同。
而根据技术经济性分析,我们计算得到聚光电站的平准化电力成本,则为0.1欧元/度~0.15欧元/度(DNI辐射度2000kWh/m2/a的地区),0.08欧元/度~0.12欧元/度(DNI辐射度2500kWh/m2/a的地区)。
对于聚光光伏,未来市场发展有很大的不确定性,技术进步带来成本的下降的可能性也是存在的。分析表明,未来度电成本下降的潜力将继续鼓励技术的发展。如果保持聚光光伏电站的安装,到2030年,聚光光伏将达到0.045欧元/度~0.075欧元/度, 系统价格(含安装)将达到700欧元/千瓦~1100欧元/千瓦。
与其他光伏技术相比,聚光技术的高效率可以这样来解释。
首先,聚光芯片是元素周期表的III族和V族元素的化合物晶体制作,由不同的半导体材料按禁带宽度由低到高顺序堆砌而成的。这样做不仅是减少了光子吸收过程中的热损失,因不同能量的光子对应不同半导体带宽的材料吸收,更重要的是,跟单结结构相比,在透射损失减少的同时,光子吸收范围也大大增加。
同时,III-V族材料是直接带半导体,光子吸收效率很高,可以把材料做得非常薄。对比硅材料,硅是间接半导体材料,吸收光子的能力比较低,硅片通常要作的比较厚。
具体来说,广泛使用的III-V族聚光芯片结构,是晶格匹配的GaInP/InGaAs/Ge,这种材料不仅地面聚光光伏使用,在太空上也已经是成熟的应用了。这种器件是利用产出效率很高的气相外延生长设备(MOCVD)生产的,这种结构中的材料是跟Ge晶格匹配的,因此这种结构的材料晶体质量非常高,2009年其光电效率达到了41.6%(AM1.5d,364倍聚光比)。采用不同组分的III-V半导体材料提供了非常大的材料设计灵活性,具体的材料设计讨论超过了本报告的范围。另请注意,低倍聚光光伏仍然采用单晶硅材料,而本报告主要讨论高倍聚光的技术路径。
原材料供应问题:聚光芯片是采用了多种不同的元素,Ga(镓)、In (铟)和Ge(锗),在全球供应上是有限的。
镓和铟来自采矿副产品的还原,2013年的产量分别是280吨和770吨。2011年锗的产量约为118吨。这是原始产品的产量,不包含回收和重复利用。
假定锗衬底片的厚度为200微米,则理论使用量是0.1g/cm2,考虑30%的产出(锯割、切片、破裂等损失),则实际使用量是0.4g/cm2,取决于各公司如何控制锯割损失。只有少数公司能够回收利用锯割损失的锗废料,其他材料的损失比例则非常小。
这样,在假定30%模组效率 和1000倍聚光比的条件下,1GW的高倍聚光所需要的Ge重量大约为4吨,不考虑回收的话最大不超过12吨。现在的材料供应是不存在问题的,随着效率提高和聚光比增加,材料用量还会减少。
法国路盛蓄电池 (LPA)铅酸系列
法国路盛蓄电池 (LPA)系列产品适用于UPS、直流屏、EPS应急电源,通信和信号控制等长寿命高耐用关键应用场合,采用加厚极板设计以提高耐用性并延长寿命,降低电解液比重以延缓对极板的腐蚀。艺术级工艺制造手段和计算机控制的检测过程,使LPA系列产品具有优异的性能和超凡的品质。
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